北方华创今日发布全新 12 英寸气体团簇离子束刻蚀设备 Acme Glaion130。

　　传统等离子刻蚀依赖化学反应 + 离子轰击实现材料去除，而离子束刻蚀通过将离子加速并中和后直接轰击晶圆表面，依靠物理溅射完成材料去除，两者原理差异决定了性能差距。

　　与传统工艺相比，团簇离子束刻蚀精度为纳米级，方向性更佳，可实现近零损伤加工；几乎适配所有材料，工艺灵活性更高，能完成晶圆局部定点精修、任意角度刻蚀等复杂需求。

　　通过定向刻蚀节省光罩层、降低工艺成本；设备实现高选择比刻蚀，可降低线条侧壁粗糙度、消除桥连缺陷，提升器件良率和性能，保障先进逻辑及存储芯片量产。

　　硅光芯片领域：可实现原子级表面平坦度，降低光散射损耗，提升光通信效率，助力硅光芯片产业向高端化迭代升级。

　　支持离子束入射角度灵活调节，实现光栅刻蚀高均一性和渐变深度刻蚀，助力 AR / VR 设备光学性能升级。

　　北方华创表示，Acme Glaion130 实测性能优异，整面刻蚀膜厚控制精准，保持原子级光滑表面，综合性能达到同类型设备领先水平。