韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子存储器业务正推动其 HBM 内存基础裸片 供应的双轨化，部分基础裸片将交由台积电生产。

　　消息人士表示，已有客户在芯片设计中导入三星电子 DRAM Die + 台积电 Base Die 的 HBM 堆栈方案。

　　三星电子存储器业务的 HBM4 Base Die 由三星电子内部的系统 LSI 业务设计、晶圆代工业务制造，形成内部“全集成”模式。

　　不过，HBM 正转向定制化，Base Die 将从主处理器卸载更多功能、电路。客户的规格需求、方案喜好决定了定制 HBM 堆栈的最终设计。三星电子存储器业务仅凭自家“全集成”方案无法满足所有客户，与外部晶圆代工企业合作能扩大销售规模。

　　据悉三星电子存储器业务已从系统 LSI 业务招募了部分芯片设计人才。如果客户选择三星电子 Base Die 方案，则仍按照“全集成”模式进行；如果客户选择台积电 Base Die，那存储器业务将承担 Base Die 设计责任。

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