消息称长鑫正准备进入闪存市场,与三星、海力士、美光正面竞争

发布时间:2026-09-18 19:29

  据路透社消息,三位知情人士透露,长鑫存储正计划进军需求激增的闪存市场。

  知情人士透露,长鑫存储计划在其位于北京的新工厂建设一条用于 NAND 闪存研发生产线。该公司还在北京设立了研发机构,相关研发项目包含了 NAND 技术的开发。

  此外,长鑫存储已就其 NAND 业务规划与客户展开接洽,其中包含一家新成立的初创企业。该企业计划采购长鑫存储的 NAND 芯片,用于人工智能系统及超级计算机的存储产品研发与部署。

  TrendForce 集邦咨询数据显示,按营收口径计算,三星电子以 29.3% 的市场份额在 2026 年第二季度位居全球闪存市场榜首,SK 海力士位列次席,美光紧随其后。

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