英特尔于当地时间周一宣布，其采用高数值孔径极紫外光刻设备处理的 300mm 晶圆数量累计已突破一百万大关。这一里程碑距离其首台 High-NA EUV 设备完成组装还不到两年半时间。

　　2025 年 2 月，英特尔使用 High-NA EUV 设备累计处理了约 3 万片晶圆；至 2026 年 9 月，这一数字已超过百万片。

　　根据 ASML 在 2026 年 4 月第一季度财报中披露的数据，当时全球所有 High-NA EUV 系统累计处理的晶圆已超过 50 万片，可用率超过 80%。这意味着英特尔一家的处理量已超过行业其他所有用户的总和。

　　今年 7 月，ASML 宣布英特尔成为全球首家实现 High-NA EUV 逻辑芯片大规模出货的企业，Intel 18A 部分工艺层已完成 High-NA EUV 双重认证，良率已达到现有 NXE EUV 平台水平。

　　不过，High-NA EUV 目前仍面临光罩尺寸带来的限制。为突破限制，英特尔正牵头推动行业转向更大的 6×12 英寸光罩。该尺寸可在一次曝光中实现 26×33mm 的完整视场。然而，这一转变涉及整个光罩生态系统的重大变更，包括光罩空白基板、沉积、刻蚀、检测、计量、清洗、光罩保护膜、光罩写入设备以及处理系统等环节均需调整。High-NA EUV 也需修改或重新设计以适配更大尺寸的光罩。

　　注：按照 ASML 的路线 年前后及之后推出的 High-NA EUV 设备仍以 6×6 英寸光罩和拼接方案为设计基础。

　　目前，ASML 和英特尔均未确认现有或计划中的 High-NA EUV 光刻机是否能够改造以支持 6×12 英寸光罩。

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