这些 DRAM Die 经过晶圆级电性参数扫描、漏电特性检测、阻抗一致性校验、制程缺陷筛查等一系列测试供需，确保电气参数偏差控制在阈值内。

　　此外，该内存在完成模组组装后还进行了短路、引脚导通、电源模块、基础读写功能检测，通过 45~85℃ 7×24 满负载烤机、高低温循环、湿热耐受测试，在电压 ±5% 范围内可稳定运行。