市场研究机构 Counterpoint Research 今日发布的

　　Counterpoint Research 指出，此轮 DRAM 市场增长主要由价格上涨推动，而非出货量大幅增加。当季 DRAM 单位出货量环比仅增长约 4%，每 Gb 平均售价则达到 1.9 美元。

　　高级分析师 Jeongku Choi 表示，本轮行情属于价格推动的超级周期，而不是出货量周期。“AI 已经将内存从普通大宗商品转变为高价值稀缺资源，买家当前的核心动作是争抢供应而非议价，在价格持续上涨的背景下，存储厂商下一季度将再创新的盈利纪录。”

　　分厂商来看，三星电子以 38% 的市场份额稳居 DRAM 市场第一；SK 海力士环比营收增长超过 40%，大幅缩小与三星的差距，追回了今年早些时候丢失的部分市场份额；美光受 AI 数据中心内存需求拉动同样表现强劲，但增速落后于三星与 SK 海力士；长鑫存储的市场份额从二季度的 10% 下滑至三季度的 9%，随着竞争对手从四季度开始出货溢价更高的 HBM4 产品，长鑫存储的份额预计将持续承压。

　　从产品结构来看，HBM 营收几乎翻倍，但其在 DRAM 总营收中的占比反而下降，原因是传统 DRAM 产品增长更快。

　　Counterpoint Research 研究总监 MS Hwang 表示，随着新一代 HBM 产品陆续推出，厂商之间的竞争格局也在变化。SK 海力士此前在 HBM3E 市场占据优势，而三星 HBM4 获得客户积极反馈。他预计，三星有望在明年成为 HBM 市场份额最高的厂商。

　　Brady Wang 还指出，DDR 和 LPDDR 的平均售价均升至历史高位，相关产品营收同比分别增长 500% 和接近 400%。随着服务器 CPU 用量增加，传统 DRAM 的需求预计还将继续增长，并可能进一步推高明年的每 Gb 平均售价，同时给边缘设备市场带来成本压力。

　　MS Hwang 同时补充道，“内存价格在明年将保持强势，今年涨幅落后于通用 DRAM 的 HBM 价格目前正在追赶，长期协议对价格形成支撑，且由于主要新晶圆厂要到 2028 年才会投产，供应将持续偏紧，短期各家厂商的业绩会因 LTA 条款存在差异，但长期来看都会保持向上走势。”

　　对于后续走势，MS Hwang 表示，内存价格明年仍有望保持强势。此前涨幅相对滞后的 HBM 价格正在追赶传统 DRAM，长期供货协议也为价格提供支撑。此外，主要厂商的新晶圆厂预计要到 2028 年才会开始投产，供应紧张局面或将延续。

　　“海量需求推动 DDR、LPDDR 的平均售价创下历史新高，二者营收同比分别增长 500%、近 400%。我们观测到服务器 CPU 相关内存消耗正在显著提升，这将进一步推高明年每 Gb 的均价，同时给终端市场带来压力。”