有研新材拟4.86亿元实施集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目

发布时间:2026-07-30 22:32

  有研新材发布公告,随着全球半导体产业复苏与扩张驱动,半导体靶材需求继续增长,公司现有德州基地铜系、钽系靶材产能已接近饱和,预计将出现明显产能缺口,无法满足国内外头部客户的订单需求。为此,公司计划推出“集成电路用高纯溅射靶材二期扩建项目”,进一步优化产品结构,新增高纯铜系靶、钽靶、钛靶高端靶材产能30,000块/年,实现高端靶材规模化量产,提高关键材料国产化率,助力公司建设世界一流靶材企业。

  项目总投资4.86亿元,计划于2026年9月启动建设;2027年9月正式投产,释放产能;2028年12月投资完成。

  本次扩产项目的实施将提升公司高纯铜及铜合金、高纯钽、高纯钛靶材产能30,000块/年,提升我国高端溅射靶材的国产化率,攻克7nm以下先进制程靶材制备技术瓶颈,填补国内高端产品空白,对筑牢我国半导体产业链供应链安全屏障具有重要战略意义。

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