据 X 平台博主 @jukan05 消息，三星电子在率先实现第六代高带宽内存量产后，如今在第七代产品 HBM4E 以及下一代 DRAM 的研发上也取得了显著进展。三星电子首席技术官兼半导体研发中心社长 Song Jai Hyuk 在近日的一场内部高管简报会上表示，HBM4E 的可靠性测试良率已提升至 70% 以上；同时，下一代 10 纳米级第七代DRAM 工艺相比竞争对手已占据优势。

　　Song Jai Hyuk 在 6 月 30 日举行的设备解决方案部门内部高管简报会上透露：“HBM4E 的可靠性测试良率已提升至 70% 以上。”行业普遍将 80% 或更高的良率视为“成熟良率”阶段，即工艺被认为已稳定的水平。考虑到 HBM4E 目前仍处于可靠性测试阶段，突破 70% 这一水平表明其研发已步入稳定轨道。

　　今年 2 月，三星电子在业内率先开始量产出货 HBM4。随后于 5 月 29 日，三星公布了 12 层堆叠 HBM4E 产品的详细技术规格，并向主要客户送样。HBM4 将搭载于英伟达今年下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin 上；而作为其升级版的 HBM4E，则计划用于英伟达明年推出的 Vera Rubin Ultra 等下一代 AI 加速器。随着主要客户的样品评估工作顺利推进，业内认为三星面向量产的研发工作进展顺利。

　　与此同时，下一代 DRAM 的工艺研发据称也进展顺利。Song Jai Hyuk 评估认为，D1d 工艺的技术竞争力已领先于竞争对手，并透露目前正以今年 11 月通过“生产准备就绪审批”为目标加紧研发。PRA 是产品出货前进行的最后一轮内部质量评估，通过全面验证良率、性能和生产率来判断是否具备量产可行性。一旦通过，即可全面转入量产体系。

　　值得注意的是，D1d 是三星电子计划从下一代 HBM5开始采用的核心 DRAM 工艺。业界预测，如果 D1d 的研发能按计划推进，不仅会利好下一代 DRAM 自身，还将对 HBM5 及后续产品的竞争力产生积极的拉动效应。随着 HBM4E 的研发成果与 D1d 工艺的逐步稳定，外界普遍认为，三星电子在下一代 AI 内存赛道中的技术竞争力将得到进一步巩固。

　　不过在简报会后，三星研发部门内部也出现了一些针对研发人员职责和薪酬结构的抱怨。据称，有员工提出，公司需要更积极地认可研发部门的贡献。此前，三星电子劳资双方同意为 DS 部门设立“特殊经营绩效奖金”，资金

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