韩媒 sedaily 于 7 月 20 日发布博文，报道称在 NAND Flash 闪存供应方面，三星正扩大和英伟达的合作，

　　注：V-NAND 是一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构。与平面 NAND 相比，它可在相同芯片面积内容纳更多存储层，常用于企业级 SSD、数据中心存储和高容量移动存储产品。

　　报道指出伴随着 AI 服务器规模扩大，临时上下文数据规模持续扩大，已开始形成数据瓶颈。英伟达希望通过 Context Memory Storage缓解这一限制，三星已成为相关 NAND 供应方。

　　鉴于三星今年的 NAND 产量预计将达到约 2.5 亿 TB，三星计划凭借其世界一流的产能，成为英伟达 CMX 的核心供应商。

　　在产线规划方面，三星电子 V-NAND 产能目前每月超过 10 万片晶圆，其中 V9占 60%，良率已升至 80% 以上，进入量产稳定阶段；V8 占比已降至 40% 以下，去年以来产能快速向 V9 转移。

　　消息称 V10 可提供更高堆叠层数，让英伟达能在同一 CMX 模块内配置更高容量 SSD，进一步承接 GPU 外溢的上下文数据。

　　技术路线方面，报道称，三星正研究面向英伟达 CMX 的 V11 NAND，其最高堆叠高度可达 500 层，V11 比 V10 多 100 层；V10 的存储密度较 V9提高 50%。

　　特别

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