Micron当地时间昨日举行了 2026 年度技术网络研讨会，对 DRAM、泛 HBM、NAND 与 SSD 进行了展望，本篇关注闪存类别。

　　美光本次预告了其预计 2027H2 产能爬坡的 G11 NAND 闪存，这家企业似乎跳过了 G10 世代。

　　G11 NAND 堆叠超过 400 层，应用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度是现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，同时能实现至高 1.5 倍的 I/O 速率，数据传输能耗则可减少 25% 以上。

　　在 G11 后，美光计划在 NAND 中导入突破性的高迁移率材料，实现超密集的单元架构，强化节能属性。

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