中信建投发布研报称，2026年以来关于SST固态变压器进展层出不穷，SST强趋势全球范围形成共识。国内多家企业纷纷推出样机产品；海外创业公司密集融资，商业化加速推进；海外电力设备龙头加速推进SST产品落地。数据中心用电架构的终局方案为SST已形成共识，预计将在商业化之后，SST的渗透率将快速提升，预计在2030年达到千亿级市场。SST产业链机会将共振向上。

　　2025年10月，英伟达发布的800V白皮书中提出，固态变压器是提供800V直流的终极解决方案，能够将中压交流电网提供的13.8/35kV交流电一步直降800V直流。在SST技术尚不成熟的当前阶段，也可以使用7.5MW级别的工业级整流器，实现一步将中压交流电整流至直流，可以省去大部分中间转换步骤，减少能量损失。谷歌在OCP峰会上的报告提出的未来用电源架构展望，终局方案同样也指向固态变压器。数据中心用电架构的终局方案为SST已形成共识。

　　2026年以来关于SST固态变压器进展层出不穷。2026年3月，工信部、国家发改委、国务院国资委、国家能源局四部委联合印发

　　海外创业公司密集融资，商业化加速推进。美国SST平台开发商DGMatrix于2026年2月完成6000万美元融资，本轮融资由ABB、Cerberus等共同参与，并选择英飞凌作为SiC关键供货商。HeronPower于2026年2月完成1.4亿美元融资，宣布将在美国建设产能。新加坡南洋理工大学孵化的Amperesand于2025年11月获8000万美元融资，聚焦超大规模AI数据中心客户。海外电力设备龙头加速推进SST产品落地。GEV预计2026年秋季产品交付有所进展，面向超大数据中心客户；2027有望看到更多订单；伊顿指引SST预计26H2左右有订单进展等。

　　1)第一/二阶段：白区改造/800VDC原生系统阶段，预计将从2026年底/2027年初开始。预计将现有的交流配电升级/改装为800伏直流，阶段1为早期发展阶段，由于2026年底/2027年推出的Vera Rubin NVL72，机架密度最高为180-220kW，尚未触及尺寸或配电效率的物理极限，因此该阶段预计将由超大规模的数据中心驱动，愿意为未来的适应性及提升效率支付高额费用。基本保留原有变压器、UPS、开关设备等，并通过HVDC power rack/sidecar输出800V直流入柜。阶段2随800V DC原生服务器开始规模化出货而启动。预计2028年左右，随着800VDC原生芯片系统量产出货，考虑到物理和机架密度逐渐逼近极限，800VDC将成为必要之选。

　　2)第三阶段：重写电气架构，预计在2028年左右。取消低压UPS，采用设施级AC/DC整流器取代UPS，减少了不必要的转换环节，灰区空间通过整流将415V交流直接转换为800VDC。但仍需要从中压变压器低压侧引入480V交流电源。阶段3将800VDC配电扩展到整个设施。

　　3)第四阶段：终局SST架构。主要变化是通过SST单一套设备取代低压变压器和AC-DC整流器，该设备可直接从中压转换为800V直流。

　　该行深度报告明确指出，AIDC电源的四大核心方向：1)价值量最为集中、功率密度不断迭代升级的电源主机环节，即PSU、HVDC、SST等。2)为实现直流化、大功率化而不可缺少的核心零部件，如固态断路器、CBU/BBU、DC/DC、高频隔离变等。3)保证数据中心实现安全、高效、快速并网的电站级储能。4)SiC、GaN等实现电力电子功率变换的第三代半导体元器件。

　　结合对未来AIDC规模的预测假设，该行对未来电源架构的HVDC、SST系统及零部件环节的空间进行测算。

　　1)规模：SST的市场体量将在2030年达到千亿级市场。PSU市场将在2030年达到数百亿级市场，HVDC、SST将在2030年达到千亿级市场。PSU及柜外电源是价值量最大的环节。

　　2)趋势：聚焦到柜外电源来看，①SST技术预计将在2027/2028年前后逐步商业化，考虑到SST是全球公认的终极数据中心架构的解决方案，因此将在商业化之后的2028-2030年，SST的渗透率将快速提升。②传统的UPS在近期仍是主流，份额最高，在中压UPS升级的改进下，市场规模达到百亿级。③HVDC在未来几年市场渗透率将快速提升，预计接近2030年将达到千亿级市场。

　　3)市场：海外市场规模将高于国内市场。由于海外AIDC芯片新增功耗更多，海外产品的单位价值量更高，因此到2030年海外柜内外电源的市场规模将高于国内市场，市场空间更大。

　　1)SST主机&上游：从终局视角来看，SST作为终局方案远期空间增速将最为显著。①从SST主机来看，市场规模有望在2027/2028年前后商业化之后，将快速放量增长，2030年有望达到千亿规模。②从SST零部件来看，固态变压器成本主要由功率半导体、高频变压器、直流电容、散热系统等组成。其中，功率半导体器件成本占比达到30-40%，高频变压器成本占比10-20%；半导体器件、高频变压器为SST核心器件。

　　中压高频变压器在SST中起着十分关键的作用，绝缘材料/磁性材料等技术壁垒较高。SST中高频变提供电气隔离，并实现中压输入到低压输出的变换，是能量双向传输的通道，直接决定整个系统的功率容量和传输效率。①绝缘材料：高频下绝缘材料更容易产生局部放电，从而加速绝缘老化并导致击穿。需采用特殊的绝缘材料和工艺。②新型磁性材料：传统硅钢片在高频下涡流损耗大，必须使用软磁铁氧体、非晶合金/纳米晶合金或磁粉芯等高频低损耗材料等。因此高频变中，绝缘材料、磁性材料等环节技术与工艺壁垒较高。

　　SiC功率器件逐渐成为SST零部件的优选项。电力电子变换器的技术难度主要在耐压，需要直接面对中压交流电。需采用第三代宽禁带半导体材料，如SiC MOSFET等， SiC MOSFET耐压可达10-15kV，同时可降低开关与导通损耗优化系统，已逐渐成为SST主机厂的优选项。

　　三次电源：VRM开始采用垂直供电技术。因为芯片面积巨大，如果电流从侧面进入，阻抗太大会导致严重的电压跌落。针对这一问题，B200的Bianca板上VRM直接安装在GPU正下方的PCB背面，电流直接穿过PCB的过孔垂直向上注入GPU核心，供电路径长度大大缩短，并且节省正面空间。

　　3)零部件：①虽然在终局SST架构中，传统的UPS以及多个整流等环节被替代，而对于一些核心零部件有共通的需求，以及在800V高压系统下的升级需求。例如超级电容CBU、直流断路器、直流熔断器等。②高压趋势下以及SiC & GaN功率器件将作为诸多环节的上游器件需求将显著提升。

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