SK 海力士宣布将投入总计 54.3 万亿韩元建设位于韩国龙仁和清州的新半导体生产基地，以扩大先进存储芯片产能。其中龙仁半导体集群第二座晶圆厂将投资 35.2 万亿韩元，清州新建 M17 NAND 闪存工厂将投资 19.1 万亿韩元。

　　龙仁半导体集群第二座晶圆厂总建筑面积约 34.1 万坪，主要用于生产高带宽内存以及下一代 DRAM 产品。按照计划，该工厂预计将于 2027 年 7 月开始施工，首个无尘室预计于 2029 年 6 月启用，相关投资将分阶段持续至 2031 年 10 月。

　　SK 海力士表示，相应项目的投资范围不仅包括晶圆制造厂建设，还涵盖员工办公及福利设施等配套建筑、整合产品测试、分析和研发功能的一体化研发中心，以及污水处理设施、能源管道、变电站和仓储设施等基础设施。

　　而在清州 M17 NAND 闪存工厂方面，该工厂将成为 SK 海力士新的 NAND 闪存生产基地。公司表示，随着 AI 服务快速普及，尤其是企业级 SSD 需求持续增长，市场对 NAND 产品的需求正在提升，预计随着 AI 智能体和物理 AI 的进一步发展，NAND 闪存的应用场景将继续扩大。

　　目前，SK 海力士清州园区已经运营 M11、M12 和 M15 三座 NAND 生产工厂。公司表示，新工厂将通过与现有生产体系整合，提高整体制造效率。同时，该地区已经具备完善的土地、电力和供水等基础条件。

　　M17 工厂总建筑面积约 20.6 万坪，计划于 2027 年 2 月开始施工，首个无尘室预计于 2028 年 12 月投入使用。相关投资将持续至 2031 年 4 月，并根据工程进度分阶段实施。