Stellar 称，这些专利覆盖先进半导体芯片内部布局，主要针对晶体管与金属布线之间的连接方案，让电流高效传输，同时减少信号干扰。

　　报道还提到，这些专利与 FinFET技术的周边微结构有关，涉及源极和漏极金属接触、绝缘层、较长的栅极间距结构以及精细布线设计。

　　在诉讼文件中，Stellar 通过光学显微镜、SEM、TEM和 EDS等手段，物理分析了三星芯片，从而支持其“三星”主张。

　　在诉讼请求上，Stellar 要求法院作出正式认定，判令三星赔偿损失并支付律师费。Stellar 还表示，三星在诉状送达后已进入正式知情状态，因此请求法院认定其为故意；如果法院采纳这一说法，最终赔偿额可能提高到 3 倍。