近日，高盛举办了一场关于DRAM和HBM市场的专家电话会，并发布了最新韩国半导体存储行业研报。研报援引专家观点指出，存储芯片市场的强劲景气度将贯穿2027年，甚至延续至2028年上半年。基于对HBM和传统DRAM价格的乐观预期，高盛重申对三星电子和SK海力士的“买入”评级，目标价分别为50万韩元、350万韩元。

　　市场研究机构TrendForce预计，2027年全年DRAM供应将持续紧张。尽管消费端需求相对疲软，但在强劲的服务器需求与有限的产能增加支撑下，DRAM平均销售价格在未来几个季度仍有进一步上涨的空间。目前长期协议的覆盖率高达60%至70%，这可能导致2027年的价格涨幅相对温和，但对于超出承诺数量的增量需求，仍可以更高的价格进行谈判。TrendForce预计DRAM价格将持续上涨至2028年上半年。

　　TrendForce预计，2027年HBM的综合ASP将同比大幅增长122%，达到3.7美元/Gb，这将推动HBM行业收入同比增长超230%，突破2000亿美元大关。TrendForce表示，不同供应商和客户之间的定价差异可能很大，高端HBM4的价格可能超过5美元/Gb，而低端价格则接近3美元/Gb。此外，由于基础裸片成本较高，8层HBM4的单位比特价格可能比12层产品高出5%至10%，而明年的HBM4E定价可能大幅高于HBM4。这与高盛此前对主要供应商明年HBM ASP增长100%至160%的预期一致。

　　尽管各大厂商资本开支计划激进，但受限于无尘室空间约束和设备交付周期延长，TrendForce认为2028年之前很难看到有意义的DRAM产能增加。TrendForce预计，2027年每家韩国供应商可能增加8万至10万片/月的产能，但三星电子的新增产能预计将大部分分配给HBM，传统DRAM的比特增长将主要依赖技术迁移。设备供应情况可能要到2027年下半年才开始改善，从而允许新晶圆厂从2028年起贡献更有意义的供应，但同时供应商也可能根据需求前景控制产能扩张计划。

　　TrendForce指出，谷歌正成为HBM需求日益重要的驱动力。随着TPU占比的上升，即使到了明年，也将继续支撑HBM3E的比特需求，这表明HBM需求正在跨代际拓宽，而非仅仅集中在HBM4/4E上。与此同时，由于显著的定价溢价，TrendForce预计明年HBM4将占据HBM行业收入的近60%。

　　尽管中国厂商在产能和技术上持续投入，但TrendForce认为，与领先供应商相比，中国HBM供应商在技术和良率方面仍存在相当大的差距，因此中期的竞争风险有限。TrendForce预计，2027年中国供应商在HBM市场的份额将不到2%，其中福建晋华仍专注于HBM2E，而长鑫存储则瞄准HBM3/3E。

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