与最先进制程普遍依赖 EUV光刻不同,8LPU+ 明确采用“无 EUV”路线,继续利用现有 DUV产线。这有助于三星避免高昂的 EUV 设备投入,在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。
该平台主要面向边缘 AI、机器人和汽车芯片。三星称,8LPU+ 集成原生 3.3V 平面 I/O 器件,可额外减少约 10% 的 I/O 面积;其汽车级 1 级eMRAM 位单元面积约为 0.017 平方微米,相当于每平方毫米约 20Mb 存储容量。
与最先进制程普遍依赖 EUV光刻不同,8LPU+ 明确采用“无 EUV”路线,继续利用现有 DUV产线。这有助于三星避免高昂的 EUV 设备投入,在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。
该平台主要面向边缘 AI、机器人和汽车芯片。三星称,8LPU+ 集成原生 3.3V 平面 I/O 器件,可额外减少约 10% 的 I/O 面积;其汽车级 1 级eMRAM 位单元面积约为 0.017 平方微米,相当于每平方毫米约 20Mb 存储容量。