该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量达 1Gb，存储密度为 30Mb / mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。

　　注：1T4R 结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提高存储密度。该技术路线利用与 CMOS 平台完全兼容的后道集成方式，在密度、容量和成本之间实现协同。

　　铭芯启睿表示，泰山一号在大容量、高密度与高速读取之间取得了协同突破，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供了具有国际竞争力的解决方案。

　　公开资料显示，铭芯启睿成立于 2024 年 5 月，致力于以先进工艺节点阻变存储器为基础，结合存算融合及先进封装技术，解决“内存墙”瓶颈，面向服务消费、工业与数据中心领域，提供 AI 高性能“感-存-算”一体化解决方案及定制化存储 IP / 芯片产品。公司联合创始人、董事长为刘琦教授。

　　铭芯启睿已于 2025 年完成近亿元天使轮融资，2026 年 1 月完成超亿元 Pre-A 轮融资，由国开科创、联想创投领投，中芯聚源、顺禧基金、恒裕投资跟投，老股东中科创星、小米战投持续加码。

　　目前，铭芯启睿已与多家上下游企业建立合作，围绕存储工艺制造技术展开联合攻关，并深度绑定多家龙头企业客户。公司方面表示，泰山一号的流片标志着 1TnR 高密度存储技术从实验室研究阶段推进至 Gb 级芯片产品化落地的关键一步。

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